文献
J-GLOBAL ID:200902169164716267
整理番号:02A0614332
水素化物気相エピタクシー法によって作製した半絶縁性GaN型板上にプラズマ支援分子線エピタクシー法によって成長させた高移動度AlGaN/GaNヘテロ構造
High mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on semi-insulating GaN templates prepared by hydride vapor phase epitaxy.
著者 (9件):
MANFRA M J
(Lucent Technol., New Jersey)
,
WEIMANN N G
(Lucent Technol., New Jersey)
,
SYED S
(Columbia Univ., New York)
,
STORMER H L
(Columbia Univ., New York)
,
PAN W
(Princeton Univ., New Jersey)
,
LANG D V
(Agere Systems, New Jersey)
,
CHU S N G
(Agere Systems, New Jersey)
,
CAISSIE J
(MIT Lincoln Lab., Massachusetts)
,
MOLVAR K M
(MIT Lincoln Lab., Massachusetts)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
92
号:
1
ページ:
338-345
発行年:
2002年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)