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文献
J-GLOBAL ID：200902169196738904
整理番号：01A0162859
4H-SiCにおけるSiC/SiO2界面におけるHall移動度と自由電子密度
Hall mobility and free electron density at the SiC/SiO2 interface in 4H-SiC.
SAKS N S
(Naval Res. Lab., Washington, DC)
,
AGARWAL A K
(CREE Inc., North Carolina)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 20 ページ： 3281-3283 発行年： 2000年11月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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