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文献
J-GLOBAL ID：200902169201829379
整理番号：93A0870880
エッジ規定フィルム給送成長Siにおける励起子トラップ及び格子間原子
Traps for excitons and interstitial atoms in edge-defined film-fed growth silicon.
DAVIES G
(King’s Coll. London, London, GBR)
,
PARK S-C
(King’s Coll. London, London, GBR)
,
HIGGS V
(King’s Coll. London, London, GBR)
,
SAWYER W D
(Mobil Solar Energy Corp., Massachusetts)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 63 号： 13 ページ： 1783-1785 発行年： 1993年09月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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