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文献
J-GLOBAL ID：200902169367016015
整理番号：02A0224612
エキシマレーザー結晶化多結晶シリコン薄膜トランジスタの移動度増加の限界
Mobility enhancement limit of excimer-laser-crystallized polycrystalline silicon thin film transistors.
HARA A
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TAKEUCHI F
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SASAKI N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 91 号： 2 ページ： 708-714 発行年： 2002年01月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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