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文献
J-GLOBAL ID：200902169404407038
整理番号：01A0699965
Siドット/熱成長SiO2界面近傍の電場の集中
Concentration of Electric Field near Si Dot/Thermally-Grown SiO2 Interface.
ISHIKAWA Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
KOSUGI M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
TSUCHIYA T
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
TABE M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 3B ページ： 1866-1869 発行年： 2001年03月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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