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文献
J-GLOBAL ID：200902169413244214
整理番号：01A0326785
熱化学気相蒸着によりけい素チップ上に直接成長した単壁カーボンナノチューブを用いる超低バイアス印加の電界エミッタ
Ultralow biased field emitter using single-wall carbon nanotube directly grown onto silicon tip by thermal chemical vapor deposition.
MATSUMOTO K
(Electrotechnical Lab., Tsukuba-shi, JPN)
,
KINOSITA S
(Electrotechnical Lab., Tsukuba-shi, JPN)
,
GOTOH Y
(Electrotechnical Lab., Tsukuba-shi, JPN)
,
UCHIYAMA T
(Advanced Technol. Inst., Tokyo, JPN)
,
MANALIS S
(MIT Media Lab., Massachusetts)
,
QUATE C
(Stanford Univ., California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 78 号： 4 ページ： 539-540 発行年： 2001年01月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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