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文献
J-GLOBAL ID：200902169422914044
整理番号：01A0329758
高伝導性GaN単結晶の電気化学エッチング
Electrochemical etching of highly conductive GaN single crystals.
NOWAK G
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
XIA X H
(Utrecht Univ., Utrecht, NLD)
,
KELLY J J
(Utrecht Univ., Utrecht, NLD)
,
WEYHER J L
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
POROWSKI S
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 222 号： 4 ページ： 735-740 発行年： 2001年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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