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文献
J-GLOBAL ID：200902169452741837
整理番号：97A0294329
ナノスケールのフローティングゲートと超浅チャネルを持つ室温シリコン単一電子金属-酸化物-半導体メモリ
A room-temperature silicon single-electron metal-oxide-semiconductor memory with nanoscale floating-gate and ultranarrow channel.
GUO L
(Univ. Minnesota, Minnesota)
,
LEOBANDUNG E
(Univ. Minnesota, Minnesota)
,
CHOU S Y
(Univ. Minnesota, Minnesota)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 70 号： 7 ページ： 850-852 発行年： 1997年02月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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