文献
J-GLOBAL ID:200902169555615724
整理番号:94A0177491
Siの高線量0+注入中の損傷成長に対する歪み解放の機構
Strain relief mechanism for damage growth during high-dose, O+ implantation of Si.
著者 (3件):
ZHOU D S
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
,
HOLLAND O W
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
,
BUDAI J D
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
26
ページ:
3580-3582
発行年:
1993年12月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)