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文献
J-GLOBAL ID：200902169559903953
整理番号：99A0618600
GaN金属-半導体電界効果トランジスタならびにバイポーラ接合トランジスタの高温信頼性
High-temperature reliability of GaN metal semiconductor field-effect transistor and bipolar junction transistor.
YOSHIDA S
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
,
SUZUKI J
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 85 号： 11 ページ： 7931-7934 発行年： 1999年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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