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文献
J-GLOBAL ID：200902169630327918
整理番号：99A0706086
紫外線照射下のGaAs中のSi-HおよびSi-D複合体の解離のカイネティクスにおける強い同位体効果
Strong isotope effects in the dissociation kinetics of Si-H and Si-D complexes in GaAs under ultraviolet illumination.
CHEVALLIER J
(Lab. Physique des Solides de Bellevue, CNRS, Meudon, FRA)
,
BARBE M
(Lab. Physique des Solides de Bellevue, CNRS, Meudon, FRA)
,
CONSTANT E
(Inst. Electronique et de Micro<span style=text-decoration:overline> ́e</span>lectronique du Nord, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
LORIDANT-BERNARD D
(Inst. Electronique et de Micro<span style=text-decoration:overline> ́e</span>lectronique du Nord, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
CONSTANT M
(Univ. Sci. et Techniques de Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 1 ページ： 112-114 発行年： 1999年07月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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