文献
J-GLOBAL ID:200902169632202578
整理番号:02A0597340
有機金属化学蒸着によりSi上に成長させた青及び緑発光InGaN基発光ダイオードの特性改善
Improved Characteristics of Blue and Green InGaN-Based Light-Emitting Diodes on Si Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
著者 (5件):
EGAWA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
MOKU T
(Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
OHTSUKA K
(Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
41
号:
6B
ページ:
L663-L664
発行年:
2002年06月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)