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文献
J-GLOBAL ID：200902169646026195
整理番号：99A0283045
パターン化基板上のGaAsの流速変調エピタキシーの自己制限効果
Self-limiting effects of flow rate modulation epitaxy of GaAs on patterned substrate.
WANG X-L
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
,
OGURA M
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
,
MATSUHATA H
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 195 号： 1/4 ページ： 586-590 発行年： 1998年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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