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文献
J-GLOBAL ID：200902169648392598
整理番号：01A0743521
アルミニウムゲートをもつMOSFETにおける分子ビーム堆積酸化イットリウム誘電体 有効電子移動度
Molecular-beam-deposited yttrium-oxide dielectrics in aluminum-gated metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: Effective electron mobility.
RAGNARSSON L-A
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
GUHA S
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
COPEL M
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
CARTIER E
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
BOJARCZUK N A
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
KARASINSKI J
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 78 号： 26 ページ： 4169-4171 発行年： 2001年06月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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