文献
J-GLOBAL ID:200902169763683717
整理番号:93A0979984
短いGaAs試料のホットエレクトロン雑音に及ぼす水素の効果
Effect of hydrogen on hot electron noise in short samples of GaAs.
著者 (5件):
BAREIKIS V
(Semiconductor Physics Inst., Vilnius, SUN)
,
LIBERIS J
(Semiconductor Physics Inst., Vilnius, SUN)
,
MATULIONIS A
(Semiconductor Physics Inst., Vilnius, SUN)
,
SAKALAS P
(Semiconductor Physics Inst., Vilnius, SUN)
,
CAPIZZI M
(Univ. ‘La Sapienza’, Rome, ITA)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
8
号:
10
ページ:
1829-1833
発行年:
1993年10月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)