文献
J-GLOBAL ID:200902169830442452
整理番号:93A0525903
1.55μm buried ridge stripe laser diodes grown by gas source molecular beam epitaxy.
著者 (8件):
BONNEVIE D
(Alcatel Alsthom Recherche, Marcoussis, FRA)
,
POINGT F
(Alcatel Alsthom Recherche, Marcoussis, FRA)
,
LE GOUEZIGOU L
(Alcatel Alsthom Recherche, Marcoussis, FRA)
,
GUICHARDON A
(Alcatel Alsthom Recherche, Marcoussis, FRA)
,
ACCARD A
(Alcatel Alsthom Recherche, Marcoussis, FRA)
,
SIMES R
(Alcatel Alsthom Recherche, Marcoussis, FRA)
,
FERNIER B
(Alcatel Alsthom Recherche, Marcoussis, FRA)
,
GOLDSTEIN L
(Alcatel Alsthom Recherche, Marcoussis, FRA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
127
号:
1/4
ページ:
5-8
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)