文献
J-GLOBAL ID:200902169835815150
整理番号:94A0083935
MOCVD成長GaAs層へのひ素イオン打ち込みによる横方向と縦方向の分離
Lateral and Vertical Isolation by Arsenic Implantation into MOCVD-Grown GaAs Layers.
著者 (8件):
NAMAVAR F
(Spire Corp., MA)
,
KALKHORAN N M
(Spire Corp., MA)
,
CLAVERIE A
(CEMES/CNRS, Toulouse, FRA)
,
LILIENTAL-WEBER Z
(Univ. California at Berkeley, CA)
,
WEBER E R
(Univ. California at Berkeley, CA)
,
SEKULA-MOISE P A
(Spire Corp., MA)
,
VERNON S
(Spire Corp., MA)
,
HAVEN V
(Spire Corp., MA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
22
号:
12
ページ:
1409-1412
発行年:
1993年12月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)