文献
J-GLOBAL ID:200902169888800758
整理番号:93A0415453
静水圧下のGaAs/AlxGa1-xAsヘテロ構造の電子有効質量
Effective electron mass in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures under hydrostatic pressure.
著者 (3件):
DE LANGE W
(Eindhoven Univ. Technology, Eindhoven, NLD)
,
BLOM F A P
(Eindhoven Univ. Technology, Eindhoven, NLD)
,
WOLTER J H
(Eindhoven Univ. Technology, Eindhoven, NLD)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
8
号:
3
ページ:
341-343
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)