文献
J-GLOBAL ID:200902169889939067
整理番号:93A0830880
How to model CVD processes. Present understanding of CVD mechanism.
著者 (9件):
EGASHIRA Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
AKIYAMA Y
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
SATO Y
(Toshiba R&D Center, Kawasaki, JPN)
,
SHIMOGAKI Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SATO T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MATUI I
(Toshiba R&D Center, Kawasaki, JPN)
,
KOMIYAMA H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IMAISHI N
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
OHMINE T
(Toshiba R&D Center, Kawasaki, JPN)
資料名:
Proceedings of the International Conference on Chemical Vapor Deposition
(Proceedings of the International Conference on Chemical Vapor Deposition)
巻:
12th
ページ:
96-102
発行年:
1993年
JST資料番号:
E0761A
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)