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文献
J-GLOBAL ID：200902170203914770
整理番号：01A0802743
MOSFETのGIDLに対する3端子バンドツーバンドトンネリングの解析的モデル
An Analytic Three-Terminal Band-to-Band Tunneling Model on GIDL in MOSFET.
CHEN J-H
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WONG S-C
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG Y-H
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 7 ページ： 1400-1405 発行年： 2001年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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