文献
J-GLOBAL ID:200902170298228453
整理番号:99A0276181
Si(100)表面およびSiO2/Si(100)界面における酸化物成長の第一原理研究
First-Principles Study of Oxide Growth on Si(100) Surfaces and at SiO2/Si(100) Interfaces.
著者 (2件):
KAGESHIMA H
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
SHIRAISHI K
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
81
号:
26, Pt.1
ページ:
5936-5939
発行年:
1998年12月28日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)