文献
J-GLOBAL ID:200902170299812876
整理番号:02A0432818
熱処理シリコン基板上に成長させたGaN結晶の品質の向上
Enhancement in the quality of GaN crystal grown on a thermal-treated silicon substrate.
著者 (3件):
CHEN X F
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KATO T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SAWAKI N
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
240
号:
1/2
ページ:
34-38
発行年:
2002年04月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)