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文献
J-GLOBAL ID：200902170300883103
整理番号：94A0958985
ほぼ理想に近い降伏電圧を有するSiC素子の簡単なエッジの処理
A Simple Edge Termination for Silicon Carbide Devices with Nearly Ideal Breakdown Voltage.
ALOK D
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
BALIGA B J
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
MCLARTY P K
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 15 号： 10 ページ： 394-395 発行年： 1994年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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