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文献
J-GLOBAL ID：200902170336295240
整理番号：95A0707573
ひ素を使わないGaAs基板調製とバッファ層を用いないGaAs/AlGaAs多重量子井戸の直接成長
Arsenic-free GaAs substrate preparation and direct growth of GaAs/AlGaAs multiple quantum well without buffer layer.
IIZUKA K
(Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
MATSUMARU K
(Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
SUZUKI T
(Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
HIROSE H
(Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
SUZUKI K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
OKAMOTO H
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 150 号： 1/4 Pt 1 ページ： 13-17 発行年： 1995年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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