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J-GLOBAL ID：200902170392127148 整理番号：00A0938325

メモリ及び論理デバイスのための二酸化シリコンに代わる誘電体

Alternative dielectrics to silicon dioxide for memory and logic devices.

著者 (3件)：

KINGON A I

(North Carolina State Univ., North Carolina, USA)

MARIA J-P

(North Carolina State Univ., North Carolina, USA)

STREIFFER S K

(Argonne National Lab., Illinois, USA)

資料名：

Nature (London) (Nature (London))

巻： 406 号： 6799 ページ： 1032-1038 発行年： 2000年08月31日
JST資料番号： D0193B ISSN： 0028-0836 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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