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文献
J-GLOBAL ID：200902170407602514
整理番号：01A0862315
積層サラウンディングゲートトランジスタ(S-SGT)DRAMにおける2.4F2メモリセル技術
2.4F2 Memory Cell Technology with Stacked-Surrounding Gate Transistor(S-SGT) DRAM.
ENDOH T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUZUKI M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAKURABA H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MASUOKA F
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 8 ページ： 1599-1603 発行年： 2001年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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