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文献
J-GLOBAL ID：200902170495329890
整理番号：02A0642852
SiNバッファ層がある高性能の348nmAlGaN/GaN基紫外発光ダイオード
High-Performance 348 nm AlGaN/GaN-Based Ultraviolet-Light-Emitting Diode with a SiN Buffer Layer.
LEE Y-B
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
WANG T
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
LIU Y-H
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
AO J-P
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
IZUMI Y
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
LACROIX Y
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
LI H-D
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
BAI J
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
SAKAI S
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 7A ページ： 4450-4453 発行年： 2002年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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