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文献
J-GLOBAL ID：200902170495671873
整理番号：01A1010208
Si3N4/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ
Si3N4/AlGaN/GaN-metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors.
HU X
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
KOUDYMOV A
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
SIMIN G
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
YANG J
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
ASIF KHAN M
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
TARAKJI A
(Sensor Electronic Technol., Inc., New York)
,
SHUR M S
(Sensor Electronic Technol., Inc., New York)
,
GASKA R
(Sensor Electronic Technol., Inc., New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 17 ページ： 2832-2834 発行年： 2001年10月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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