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文献
J-GLOBAL ID：200902170545021492
整理番号：99A0610114
新しい不動態化構造を有する分子線エピタキシー(MBE)成長AlGaAs層の無砒素の高温表面洗浄
Arsenic-free high-temperature surface cleaning of molecular beam epitaxy(MBE)-grown AlGaAs layer with new passivation structure.
IIZUKA K
(Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
WATANABE H
(Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
SUZUKI T
(Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
OKAMOTO H
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 201/202 ページ： 174-177 発行年： 1999年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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