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文献
J-GLOBAL ID：200902170584472400
整理番号：02A0778800
ナノ結晶多孔質シリコン層におけるバリスティック電子の発生とその固体プレーナルミネセンス素子への応用
Generation of ballistic electrons in nanocrystalline porous silicon layers and its application to a solid-state planar luminescent device.
NAKAJIMA Y
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KOJIMA A
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KOSHIDA N
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 13 ページ： 2472-2474 発行年： 2002年09月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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