文献
J-GLOBAL ID:200902170698938280
整理番号:94A0083934
ひ素成長とアニールした低温成長GaAs中欠陥の可変エネルギー陽電子ビームによる特性解析
Variable Energy Positron Beam Characterization of Defects in As-Grown and Annealed Low Temperature Grown GaAs.
著者 (5件):
UMLOR M T
(Michigan Technological Univ., MI)
,
KEEBLE D J
(Michigan Technological Univ., MI)
,
COOKE P W
(GEO-Centers, Inc., NJ)
,
ASOKA-KUMAR P
(Brookhaven National Lab., NY)
,
LYNN K G
(Brookhaven National Lab., NY)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
22
号:
12
ページ:
1405-1408
発行年:
1993年12月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)