文献
J-GLOBAL ID:200902170746390429
整理番号:93A0696957
けい素のイオンビーム誘起エピタキシャル結晶化の線量率依存性
Dose rate dependence of the ion-beam-induced epitaxial crystallization in silicon.
著者 (4件):
HEERA V
(Research Center Rossendorf Inc., Dresden, DEU)
,
KOEGLER R
(Research Center Rossendorf Inc., Dresden, DEU)
,
SKORUPA W
(Research Center Rossendorf Inc., Dresden, DEU)
,
GROETZSCHEL R
(Research Center Rossendorf Inc., Dresden, DEU)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
80/81
号:
Pt 1
ページ:
538-542
発行年:
1993年06月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)