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文献
J-GLOBAL ID：200902170749757293
整理番号：93A0912628
直接接着したSiウエハの界面領域におけるp層形成に及ぼす化学表面処理の効果
Effect of chemical surface treatment on p-layer formation in the interface region of directly bonded Si wafers.
ASTROVA E V
(Ioffe Physical-Technical Inst., St Petersburg, SUN)
,
GREKHOV I V
(Ioffe Physical-Technical Inst., St Petersburg, SUN)
,
KOZLOV V A
(Ioffe Physical-Technical Inst., St Petersburg, SUN)
,
KROPOTOV G I
(Ioffe Physical-Technical Inst., St Petersburg, SUN)
,
LEBEDEV A A
(Ioffe Physical-Technical Inst., St Petersburg, SUN)
,
PATSEKIN A V
(Ioffe Physical-Technical Inst., St Petersburg, SUN)
,
VORONKOV V B
(Ioffe Physical-Technical Inst., St Petersburg, SUN)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 8 号： 9 ページ： 1700-1705 発行年： 1993年09月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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