文献
J-GLOBAL ID:200902170971279731
整理番号:00A0225925
MOCVDにより形成されたエピタキシャルZnO膜を基にした紫外線検出器
Ultraviolet Detectors Based on Epitaxial ZnO Films Grown by MOCVD.
著者 (7件):
LIU Y
(Rutgers Univ., NJ)
,
GORLA C R
(Rutgers Univ., NJ)
,
LIANG S
(Rutgers Univ., NJ)
,
EMANETOGLU N
(Rutgers Univ., NJ)
,
LU Y
(Rutgers Univ., NJ)
,
SHEN H
(U.S. Army Res. Lab., Maryland)
,
WRABACK M
(U.S. Army Res. Lab., Maryland)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
29
号:
1
ページ:
69-74
発行年:
2000年01月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)