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文献
J-GLOBAL ID：200902171066803679
整理番号：95A0213251
GaAsの(100)面上にガスソースMBE法で作製したAlN-GaNの1/4波長多層反射鏡
AlN-GaN quarter-wave reflector stack grown by gas-source MBE on (100) GaAs.
FRITZ I J
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
DRUMMOND T J
(Sandia National Lab., NM, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 31 号： 1 ページ： 68-69 発行年： 1995年01月05日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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