文献
J-GLOBAL ID:200902171426205948
整理番号:97A0607590
昇華サンドイッチ法による炭化けい素バルク結晶の成長
Growth of silicon carbide bulk crystals by the sublimation sandwich method.
著者 (4件):
MOKHOV E N
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
RAMM M G
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
ROENKOV A D
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
VODAKOV YU A
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名:
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻:
B46
号:
1/3
ページ:
317-323
発行年:
1997年04月
JST資料番号:
T0553A
ISSN:
0921-5107
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)