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文献
J-GLOBAL ID：200902171479511307
整理番号：97A0875188
GaNの選択領域エピタクシー中の異方性エピタキシャル横方向成長(ELO)
Anisotropic epitaxial lateral growth in GaN selective area epitaxy.
KAPOLNEK D
(Univ. California, California)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
VETURY R
(Univ. California, California)
,
UNDERWOOD R D
(Univ. California, California)
,
KOZODOY P
(Univ. California, California)
,
DEN BAARS S P
(Univ. California, California)
,
MISHRA U K
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 9 ページ： 1204-1206 発行年： 1997年09月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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