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文献
J-GLOBAL ID：200902171539867386
整理番号：98A0108543
高密度スピントンネリングランダムアクセスメモリの実現可能性
Feasibility of Ultra-Dense Spin-Tunneling Random Access Memory.
WANG Z G
(Univ. Plymouth, Devon, GBR)
,
MAPPS D J
(Univ. Plymouth, Devon, GBR)
,
HE L N
(Univ. Plymouth, Devon, GBR)
,
CLEGG W W
(Univ. Plymouth, Devon, GBR)
,
WILTON D T
(Univ. Plymouth, Devon, GBR)
,
ROBINSON P
(Univ. Plymouth, Devon, GBR)
,
NAKAMURA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Magnetics
(IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 33 号： 6 ページ： 4498-4512 発行年： 1997年11月
JST資料番号： A0339B ISSN： 0018-9464 CODEN： IEMGAQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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