文献
J-GLOBAL ID:200902171600250524
整理番号:99A0390424
SiCエピタキシャルp-n接合ダイオードの性能を制限する表面欠陥
Performance Limiting Surface Defects in SiC Epitaxial p-n Junction Diodes.
著者 (3件):
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MIYAMOTO N
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
46
号:
3
ページ:
471-477
発行年:
1999年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)