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文献
J-GLOBAL ID:200902171639774504   整理番号:98A0871076

ガリウムアジドのデトネーションにより作製したナノ結晶GaNのミクロ構造評価

Microstructural Characterisation of Nanocrystalline GaN Prepared by Detonations of Gallium Azides.
著者 (9件):
FRANK A C
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
STOWASSER F
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
STARK O
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
KWAK H-T
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
RUPP A
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
PRITZKOW H
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
AMBACHER O
(Technische Univ. Muenchen, Muenchen, DEU)
GIERSIG M
(Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU)
FISCHER R A
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)

資料名:
Advanced Materials for Optics and Electronics  (Advanced Materials for Optics and Electronics)

巻:号:ページ: 135-146  発行年: 1998年05月 
JST資料番号: T0361B  ISSN: 1057-9257  CODEN: AMELE7  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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