文献
J-GLOBAL ID:200902171639774504
整理番号:98A0871076
ガリウムアジドのデトネーションにより作製したナノ結晶GaNのミクロ構造評価
Microstructural Characterisation of Nanocrystalline GaN Prepared by Detonations of Gallium Azides.
著者 (9件):
FRANK A C
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
,
STOWASSER F
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
,
STARK O
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
,
KWAK H-T
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
,
RUPP A
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
,
PRITZKOW H
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
,
AMBACHER O
(Technische Univ. Muenchen, Muenchen, DEU)
,
GIERSIG M
(Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU)
,
FISCHER R A
(Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
資料名:
Advanced Materials for Optics and Electronics
(Advanced Materials for Optics and Electronics)
巻:
8
号:
3
ページ:
135-146
発行年:
1998年05月
JST資料番号:
T0361B
ISSN:
1057-9257
CODEN:
AMELE7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)