文献
J-GLOBAL ID:200902171719807942
整理番号:93A0188244
電子サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズマ援助分子ビームエピタクシーによるGaN薄膜の成長
Growth of gallium nitride thin films by electron cyclotron resonance microwave plasma-assisted molecular beam epitaxy.
著者 (3件):
EDDY C R JR
(Boston Univ., Massachusetts)
,
MOUSTAKAS T D
(Boston Univ., Massachusetts)
,
SCANLON J
(Exxon Research and Engineering Co., New Jersey)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
73
号:
1
ページ:
448-455
発行年:
1993年01月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)