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文献
J-GLOBAL ID：200902171749963841
整理番号：02A0200758
NORフラッシュメモリのデータリテンション信頼性に対する機械的応力の影響
The Mechanical Stress Effects on Data Retention Reliability of NOR Flash Memory.
PARK Y M
(Samsung Electronics Co., LTD, Kyunggi-Do, KOR)
,
LEE J S
(Samsung Electronics Co., LTD, Kyunggi-Do, KOR)
,
KIM M
(Samsung Electronics Co., LTD, Kyunggi-Do, KOR)
,
CHOI M K
(Samsung Electronics Co., LTD, Kyunggi-Do, KOR)
,
KIM T K
(Samsung Electronics Co., LTD, Kyunggi-Do, KOR)
,
HAN J I
(Samsung Electronics Co., LTD, Kyunggi-Do, KOR)
,
KWON D W
(Samsung Electronics Co., LTD, Kyunggi-Do, KOR)
,
LEE W K
(Samsung Electronics Co., LTD, Kyunggi-Do, KOR)
,
SUH K D
(Samsung Electronics Co., LTD, Kyunggi-Do, KOR)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2001 ページ： 711-714 発行年： 2001年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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