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文献
J-GLOBAL ID：200902171785213425
整理番号：94A0402609
高伝導性広幅バンドギャップa-SiC:Hをキャリア注入層として用いたa-SiC:H薄膜可視光放出ダイオード
a-SiC:H thin film visible light-emitting diodes with highly conductive wide band gap a-SiC:H as the carrier injection layers.
LAU S P
(Univ. Coll. Swansea, Swansea, GBR)
,
MARSHALL J M
(Univ. Coll. Swansea, Swansea, GBR)
,
DYER T E
(Univ. Coll. Swansea, Swansea, GBR)
,
HEPBURN A R
(Univ. Coll. Swansea, Swansea, GBR)
,
DAVIES J F
(Univ. Coll. Swansea, Swansea, GBR)
資料名：
Journal of Non-Crystalline Solids
(Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 164/166 号： Pt 2 ページ： 813-816 発行年： 1993年12月
JST資料番号： D0642A ISSN： 0022-3093 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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