文献
J-GLOBAL ID:200902172015360094
整理番号:96A0631951
トレンチ構造を有し高速で高感度なSOI基板上の金属-半導体-金属光検出器
High-speed and high-sensitivity silicon-on-insulator metal-semiconductor-metal photodetector with trench structure.
著者 (2件):
HO J Y L
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
WONG K S
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
69
号:
1
ページ:
16-18
発行年:
1996年07月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)