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文献
J-GLOBAL ID：200902172017992616
整理番号：93A0770942
けい素中の二酸化けい素包有物の埋設イオンビーム合成層の空間的局在化
Spatial localization of the buried ion-beam synthesized layer of silicon dioxide inclusions in silicon.
DANILIN A B
(Inst. Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Moscow District, SUN)
,
MALININ A A
(Inst. Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Moscow District, SUN)
,
MORDKOVICH V N
(Inst. Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Moscow District, SUN)
,
SARAIKIN V V
(Inst. Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Moscow District, SUN)
,
VYLETALINA O I
(Inst. Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Moscow District, SUN)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 82 号： 3 ページ： 431-434 発行年： 1993年08月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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