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文献
J-GLOBAL ID:200902172024514100   整理番号:00A0659220

各セルに磁気トンネル接合とFETスイッチを持つ10ns読出し,書込み不揮発性メモリアレイ

A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in each Cell.
著者 (7件):
SCHEUERLEIN R
(IBM Res. Almaden Res. Center, CA)
GALLAGHER W
(IBM Res. T.J. Watson Res. Center, NY)
PARKIN S
(IBM Res. Almaden Res. Center, CA)
LEE A
(IBM Microelectronics Div., CA)
RAY S
(IBM Microelectronics Div., CA)
ROBERTAZZI R
(IBM Res. T.J. Watson Res. Center, NY)
REOHR W
(IBM Res. T.J. Watson Res. Center, NY)

資料名:
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)

巻: 43  ページ: 128-129  発行年: 2000年02月 
JST資料番号: D0753A  ISSN: 0193-6530  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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