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文献
J-GLOBAL ID：200902172223734291
整理番号：96A0103596
Si基板上に成長させたSiGeC合金の光学及び電子特性
Optical and electronic properties of SiGeC alloys grown on Si substrates.
KOLODZEY J
(Univ. Delaware, Delaware, USA)
,
BERGER P R
(Univ. Delaware, Delaware, USA)
,
ORNER B A
(Univ. Delaware, Delaware, USA)
,
HITS D
(Univ. Delaware, Delaware, USA)
,
CHEN F
(Univ. Delaware, Delaware, USA)
,
KHAN A
(Univ. Delaware, Delaware, USA)
,
SHAO X
(Univ. Delaware, Delaware, USA)
,
WAITE M M
(Dupont Experimental Station, Delaware, USA)
,
UNRUH K M
(Univ. Delaware, Delaware, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 157 号： 1/4 ページ： 386-391 発行年： 1995年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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