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文献
J-GLOBAL ID：200902172272441720
整理番号：00A0535535
ステンレス鋼箔上に低温スパッタ蒸着で作製した高移動度ポリSi薄膜トランジスタ
High-Mobility Poly-Si Thin Film Transistors Fabricated on Stainless-Steel Foils by Low-Temperature Processes Using Sputter-Depositions.
SERIKAWA T
(NTT Cyber Space Lab., Tokyo, JPN)
,
OMATA F
(NTT Cyber Space Lab., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 5A ページ： L393-L395 発行年： 2000年05月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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