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文献
J-GLOBAL ID：200902172399581360
整理番号：00A0145232
反応性イオンエッチングを用いたGa-極性GaN基板の最終研磨
Final Polishing of Ga-Polar GaN Substrates using Reactive Ion Etching.
KAROUTA F
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
WEYHER J L
(Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD)
,
JACOBS B
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
NOWAK G
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
PRESZ A
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
GRZEGORY I
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
KAUFMANN L M F
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 28 号： 12 ページ： 1448-1451 発行年： 1999年12月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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