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文献
J-GLOBAL ID：200902172455401957
整理番号：02A0809532
AlNスペーサ層を使ったAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタのdc特性の改善
Improvement of DC Characteristics in AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors Employing AlN Spacer Layer.
IDE T
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
SHIMIZU M
(Advanced Industrial Sci. and T, Ibaraki, JPN)
,
HARA S
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
CHO D-H
(Advanced Industrial Sci. and T, Ibaraki, JPN)
,
JEGANATHAN K
(Advanced Industrial Sci. and T, Ibaraki, JPN)
,
SHEN X-Q
(Advanced Industrial Sci. and T, Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(Advanced Industrial Sci. and T, Ibaraki, JPN)
,
NEMOTO T
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 9 ページ： 5563-5564 発行年： 2002年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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